在全球人工智能浪潮的推动下,存储芯片行业正迎来一个前所未有的“超级周期”。据摩根士丹利预测,AI热潮将带动存储芯片行业持续景气,而国内存储芯片企业更是在“价格回升+国产替代”双重驱动下迎来历史性发展机遇。
随着三星电子和SK海力士将存储芯片价格上调高达30%,供需失衡的格局已推动存储芯片价格进入上行通道。
在这一轮行业周期中,HBM(高带宽存储器)作为AI训练的关键组件,成为存储芯片领域最炙手可热的细分市场,也引领着中国存储芯片企业的突围之路。

存储芯片行业已进入明显景气周期。根据世界半导体贸易统计协会数据,2024年全球半导体市场规模约5000亿美元,其中存储芯片占比达25%,是规模最大的细分领域。
全球半导体贸易统计组织发布的预测数据显示,2025年全球存储芯片销售额将达到1848.41亿美元,同比增长11.68%;2026年销售额将进一步增至2148.26亿美元,同比增长16.22%。
AI技术的蓬勃发展对存储芯片的需求呈现爆炸式增长。AI大模型训练与推理对存储容量和带宽的需求呈指数级增长,单个AI服务器存储容量需求达到传统服务器的8-10倍。
今年以来,美国科技巨头持续增加AI基础设施投资,使得存储芯片需求急剧增加。例如,OpenAI的“星际之门”项目每月需采购90万片DRAM晶圆,占全球DRAM总产能的近40%。
从价格走势来看,TrendForce集邦咨询预估,2025年四季度整体一般型DRAM价格将单季度增长8%至13%;NAND Flash第四季度各类产品合约价将全面上涨,平均涨幅达5%至10%。

在中国存储芯片产业中,长鑫存储与长江存储已成为国内存储芯片产业的两大支柱,2025年第一季度营业收入均突破10亿美元。
随着收入的增长,两家公司在全球存储芯片市场的竞争力进一步提升,其市场份额分别增至4.10%、8.10%。
长鑫存储是一家一体化存储器制造厂商,专注于DRAM的设计、研发、生产和销售。目前,长鑫存储是中国大陆规模最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业。
据TrendForce数据,预计到2025年底,长鑫存储总产能将从2024年的20万片/月增至30万片/月,同比增长近50%,总产能占全球产能的比重也将达到15.60%。
技术迭代方面,长鑫存储正在从DDR4、LPDDR4加速向DDR5、LPDDR5转移。根据CounterPoint测算,预计到2025年末,长鑫存储DDR5市场份额将从年初的1.00%提升至7.00%;LPDDR5市场份额也将从0.50%提升至9.00%。
长江存储则是一家专注于3D NAND闪存设计、制造一体化的IDM企业,并是国内唯一3D NAND存储芯片厂商。
长江存储已启动三期布局,重点推进3D NAND芯片产能爬坡。2025年9月5日,长存三期(武汉)集成电路有限责任公司正式注册成立,注册资本高达207.20亿元。
公司计划通过三期项目将总产能提升至15万片/月,力争到2026年占据全球NAND闪存市场15%的份额。另外,该长江存储自主研发的Xtacking架构已实现232层以上堆叠3D NAND Flash量产,产能设备国产化率达45%。

HBM(高带宽存储器)是一种基于堆叠技术的内存产品,其将多层DRAM芯片堆叠在基板芯片上,成为解决内存瓶颈问题的关键技术。
据兴业证券研报,HBM在AI服务器中扮演着至关重要的角色,因为AI大模型训练需要极高的内存带宽来处理海量数据。
根据中商产业研究院的排名,2025年中国HBM企业发展潜力前列的企业包括:长鑫存储、长电科技、通富微电、华天科技、深科技等。
长鑫存储位居中国HBM企业发展潜力榜首,作为国内DRAM产业领军企业,正积极推进HBM技术研发,在先进封装领域布局深入,受益于AI算力需求爆发,未来发展空间广阔。
长电科技作为全球领先的封装测试企业,掌握先进封装技术,具备HBM封装能力,与多家芯片设计公司建立合作关系,技术实力雄厚。
通富微电专业从事集成电路封装测试,在高端封装领域技术积累深厚,HBM封装技术取得突破,客户资源优质,增长动力充足。

在存储芯片产业链中,一批具备核心技术和发展潜力的上市公司正成为稀缺龙头。
兆易创新是国内存储设计龙头,覆盖NOR Flash、利基型DRAM、MCU三大核心赛道。公司自研128层3D NAND良率超90%,成本较海外低15%;利基型DRAM市占率提升至1.7%(全球第七)。
2025年上半年,兆易创新净利润同比增长11.31%,营收41.5亿元,存储芯片贡献68.55%的收入;AI服务器带动企业级SSD订单同比增长300%。
澜起科技是全球内存接口芯片龙头,主导DDR4/DDR5接口芯片标准制定。公司DDR5 RCD芯片全球市占率超45%,HBM3存储控制器通过美光、SK海力士验证并小批量供货。
2025年第三季度,澜起科技净利润预计达8.6亿元,同比增幅152%,毛利率稳定在65%以上。
北方华创是半导体设备平台型企业,存储领域核心产品包括刻蚀机、PVD设备、TSV刻蚀机等。公司的刻蚀机在长鑫存储市占率超50%,12英寸TSV刻蚀机支持5nm以下制程。
2025年上半年,北方华创营收161.42亿元,同比增长29.51%,存储设备业务收入同比增长72%,订单同比增长150%。
赛腾股份是A股稀缺的HBM设备量产龙头,通过收购日本OPTIMA掌握全球唯三的HBM全制程检测技术,TSV深孔检测精度达0.1μm。
公司直供三星37台HBM设备订单(2025年交付),是国内唯一实现HBM量测设备量产的企业。2024年HBM设备合同负债达14.7亿元,2025年新增订单预计超20亿元。

4、其他存储芯片公司:
2025年10月24日,存储芯片概念爆发,盈新发展5连板,普冉股份续创新高。航天智装20%涨停,普冉股份涨超19%续创新高,香农芯创亦创出新高,盈新发展涨停斩获5连板,江波龙、华虹公司涨超9%。
当日消息面上,据报道,存储芯片巨头三星电子和SK海力士将上调包括DRAM和NAND在内的存储产品价格,幅度高达30%。业内人士预计,AI服务器存储产品的涨价潮或延续至2026年,国内存储公司有望受益于“价格回升+国产替代”双重驱动。
东海证券也指出,9月下旬,三星电子向主要客户发出第四季度调价通知,计划将部分DRAM价格上调15%—30%,NAND闪存价格上调5%—10%。美光科技在9月一度暂停所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品报价,恢复后产品价格普遍上涨约20%。本轮价格上涨反映随着AI技术快速发展,AI服务器、数据中心等关键领域对存储芯片需求大增,建议持续关注后续存储芯片价格走势。
一是技术壁垒高、国产替代空间大的标的,如HBM产业链相关的赛腾股份、长鑫存储(未上市)产业链的北方华创等;
二是受益于存储价格全面上涨的存储设计与模组企业,如兆易创新、澜起科技、江波龙等;
三是中长期具备成长动能的平台型公司,如中微公司、北方华创等。
2、风险提示
投资者也需注意存储芯片行业的多重风险:一是技术迭代风险,存储芯片技术更新速度快,企业需持续保持高研发投入;二是市场竞争加剧风险,国际巨头在市场份额和技术上仍占绝对优势;三是行业周期波动风险,存储芯片行业具有明显的周期性,价格波动较为剧烈。
随着国内存储芯片企业技术不断突破,在长鑫存储、长江存储等龙头企业的引领下,中国存储芯片产业正逐步从“跟跑”向“并跑”甚至某些领域的“领跑”转变。
HBM、高密度SSD、先进封装等前沿领域将成为未来几年中国存储芯片企业实现跨越式发展的重要突破口。
在AI引发的存储芯片“超级周期”中,中国存储芯片企业正迎来历史性的发展机遇。那些掌握核心技术、拥有优质客户资源和具备持续创新能力的稀缺龙头,有望在这轮行业浪潮中脱颖而出,成为中国半导体产业自强的主力军。
